Cas 409-21-2 Toza karbîda silîkonê ya paqijiya bilind, nanopowder û nanopartikulên nanoSiC

Karbîda silîkonê (SiC), ku wekî karborundum jî tê zanîn, tevlîheviyek ji silîkon û karbonê ye ku formula kîmyewî SiC ye. Di xwezayê de wekî mînerala moissanît a pir kêm tê dîtin. Toza karbîda silîkonê ya sentetîk ji sala 1893-an vir ve bi girseyî ji bo karanîna wekî abrazîv tê hilberandin. Dendikên karbîda silîkonê dikarin bi sinterkirinê ve werin girêdan da ku seramîkên pir hişk çêbikin ku bi berfirehî di sepanên ku hewceyê berxwedana bilind in de têne bikar anîn, wekî frenên otomobîlan, kelçên otomobîlan û plakayên seramîk di çakêtên gulebaran de. Serlêdanên elektronîkî yên karbîda silîkonê wekî dîodên ronahiyê (LED) û detektor di radyoyên destpêkê de cara yekem li dora 1907-an hatin nîşandan. SiC di cîhazên elektronîkî yên nîvconductor de tê bikar anîn ku di germahiyên bilind an voltaja bilind, an herduyan de dixebitin. Krîstalên yekane yên mezin ên karbîda silîkonê dikarin bi rêbaza Lely werin mezin kirin; ew dikarin werin birîn nav gemarên ku wekî moissanîta sentetîk têne zanîn. Karbîda silîkonê ya bi rûbera bilind dikare ji SiO2-ya ku di materyalên nebatan de heye were hilberandin.